簡(jiǎn)要描述:· CMP Slurry中過(guò)氧化物(雙氧水)的濃度分析 · 濕法清洗工藝中DSP+HF、H2SO4的濃度分析· 裝機(jī)超1.5k臺(tái),大廠占有率迅速攀升,信賴之選· 精準(zhǔn)掌控CMP Slurry中<<1%H2O2和濕法清洗DSP+中HF含量
Why ? 為什么用APM? | · 一站式備齊CMP解決方案,提升晶圓良率 · 精準(zhǔn)掌控晶圓制備及清洗的關(guān)鍵過(guò)程H2O2、H2SO4、HF等濃度水平 · 遠(yuǎn)超離線設(shè)備的在線濃度計(jì) · 高可靠性,離群幾率低至十萬(wàn)分之一/年 · 專為OEM廠家設(shè)計(jì) |
How? 如何提高良品率? | · 精準(zhǔn)控制過(guò)氧化物濃度 · 過(guò)氧化物過(guò)高,metal lift and dishing · 過(guò)氧化物含量過(guò)低,金屬去除率不足,拋光效果不佳 · 氧化物的監(jiān)測(cè)和控制可以保持工藝化學(xué)成分和完整性 |
What we can do? 我們能做什么? | · 優(yōu)化工藝參數(shù):通過(guò)精確測(cè)量雙氧水濃度(低于1%),提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量 · 降低生產(chǎn)成本:減少因濃度過(guò)高或過(guò)低導(dǎo)致的原材料浪費(fèi)和不良品率,降低生產(chǎn)成本 · 提升產(chǎn)品質(zhì)量:穩(wěn)定的雙氧水濃度有助于實(shí)現(xiàn)均勻的金屬處理和拋光效果,提升產(chǎn)品表面質(zhì)量和光澤度 |
Who should use? 誰(shuí)應(yīng)該使用? | · 研磨液(Slurry)的生產(chǎn)商,CMP SDS系統(tǒng)集成供應(yīng)商,芯片IDM生產(chǎn)企業(yè)或晶圓代工廠 |
Where to use? 在哪里使用? | · POU 端監(jiān)控Fab漿料稀釋過(guò)程 · 電化學(xué)&濃度雙法監(jiān)控 · Slurry(研磨液)拋光過(guò)程中過(guò)氧化物濃度監(jiān)控 |
產(chǎn)品介紹 | INTRODUCTION
SemiChem Advanced Process Monito(r APM)是一款集自動(dòng)取樣、分析和報(bào)告關(guān)鍵過(guò)程的定量化學(xué)濃度于一體的化學(xué)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)。通過(guò)全面的在線化學(xué)監(jiān)測(cè),該系統(tǒng)可實(shí)時(shí)校正漿料成分,從而穩(wěn)定控制工藝生產(chǎn)條件。APM系統(tǒng)可提供分類化學(xué)濃度數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)即時(shí)顯現(xiàn),助力操作人員快速糾正可能對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量產(chǎn)生負(fù)面影響的變化,有助于滿足更高的產(chǎn)品產(chǎn)量要求。 |
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經(jīng)驗(yàn)證的標(biāo)準(zhǔn)電化學(xué)技術(shù) 實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)濃度監(jiān)控系統(tǒng) | 對(duì)于濃度低于1%的H2O2具有高靈敏度 |
應(yīng)用領(lǐng)域 | Application |
l半導(dǎo)體領(lǐng)域CMP slurrry中過(guò)氧化物(雙氧水)的在線濃度檢測(cè) |
lCMP slurrry過(guò)氧化物(雙氧水H2O2)的濃度分析 |
lDSP+(dilute sulfuric peroxide HF mixture)的濃度檢測(cè) |
在全球范圍內(nèi),已安裝了近3000套SemiChem APM系統(tǒng),在微電子環(huán)境中的所有濕化學(xué)應(yīng)用中證明了其性能。應(yīng)用包括但不限于: |
l銅、鎢、阻擋層和金屬CMP |
lPAN蝕刻、Piranha蝕刻 |
l特制清洗劑 |
lHF氫氟酸 |
lDSP+ |
l廢水 |
儀器原理 | PRINCIPLE
SemiChem在線濃度監(jiān)測(cè)儀 工作原理 | |
滴定法:(氧化還原,酸堿中和) | |
氧化還原滴定法原理: 基于氧化還原反應(yīng)的定量關(guān)系。滴定劑(通常為氧化劑或還原劑)與待測(cè)物質(zhì)發(fā)生氧化還原反應(yīng),通過(guò)滴定劑的消耗量反推物質(zhì)的濃度。 | 酸堿滴定法原理: 利用酸和堿在水中以質(zhì)子轉(zhuǎn)移反應(yīng)為基礎(chǔ)的滴定分析方法。其基本反應(yīng)為H++OH-=H2O,也稱為中和法。 |
特點(diǎn): | |
· 典型分析方法 |
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· 通過(guò)滴定劑達(dá)到endpoint時(shí)消耗的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)量,快速準(zhǔn)確地分析溶液中分析物的濃度 | |
· 精準(zhǔn) | |
· 容錯(cuò)率高 | |
· 可以測(cè)量多種溶液 | 滴定曲線圖 |
ISE(離子吸附) | |
原理: 使用特定分析物和選擇性靈敏膜作為指示電極測(cè)量選擇性耦合電位差。
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特點(diǎn): | |
· 僅對(duì)指定離子選擇性響應(yīng) | |
· 由與特定離子反應(yīng)并結(jié)合的薄膜組成 | |
· 沒(méi)氧化還原反應(yīng) | |
· 電導(dǎo)率(離子可轉(zhuǎn)移) | 離子吸附原理圖 |
儀器參數(shù) | SPECIFICATION
性能規(guī)格 | |
分析方法 | 電位滴定法/標(biāo)準(zhǔn)添加法/光度測(cè)定法 |
電位測(cè)量的準(zhǔn)確性1 | 顯示值的±0.2% |
標(biāo)準(zhǔn)添加劑的準(zhǔn)確性1 | 顯示值的±2.0% |
電位測(cè)量精度1 | ±0.2%對(duì)誤差 |
標(biāo)準(zhǔn)添加精度1 | ±2.0%對(duì)誤差 |
測(cè)量時(shí)間 | 5分鐘/次(取決于方法設(shè)定) |
校準(zhǔn)間隔 | 啟動(dòng)時(shí)2 |
樣品消耗 | <5mL/次 |
進(jìn)樣量 | 0.05至5mL(取決于方法設(shè)定) |
樣品溫度 | 最高93℃(200°F) |
耗水量 | <1000 mL/次 |
系統(tǒng)設(shè)施要求3 | |
樣品進(jìn)樣/排樣 | <207kPa(30 psi),0.5升/分鐘 |
外徑1/4擴(kuò)口接頭,1"FPT安全殼聯(lián)軸器 | |
去離子水 | 138-276kPa (20-40 psi) |
2.0升/分鐘 | |
外徑1/4"擴(kuò)口接頭 | |
CDA | 414-552kPa (60-80psi) |
外徑1/4"快速接頭 | |
排水 | 處理管:3/4"NPT重力排水管 |
儲(chǔ)水管:1/2"NPT重力 | |
電源 | 110/220 VAC,50/60Hz,1.0/0.5A現(xiàn)場(chǎng)可切換 |
排氣 | 1-7/8" OD@17立方英尺/分 |
注:
1 僅指“硬件"。應(yīng)用、化學(xué)和工藝條件等外部因素會(huì)影響系統(tǒng)的準(zhǔn)確性和精密度
2 這不包括pH或離子選擇性傳感器的校準(zhǔn)。有關(guān)更多信息,請(qǐng)參閱《安裝和操作手冊(cè)》
3 有關(guān)所需設(shè)施的完整清單,請(qǐng)參閱SemiChem APM安裝和操作手冊(cè)
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